贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G与5G通信应用
发布时间：2021-12-23 13:21:42 所属栏目：通讯 来源：互联网
导读：专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics ） 即日起开始备货Qorvo 高电子迁移率晶体管 （HEMT）。此碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC） 晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝 基站和射频 应用提供支持
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专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics ） 即日起开始备货Qorvo 高电子迁移率晶体管 （HEMT）。此碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC） 晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝 基站和射频 应用提供支持。 贸泽电子备货的Qorvo QPD0011 是一款非对称双路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封装。QPD0011具有30 W到60 W的可变输入功率、+48 V的漏极电压、3.3 GHz至。6 GHz的工作电压，以及高达13.3 dB的增益，并能在Doherty设计环境中实现高达90 W的超高效信号峰值功率。 为了便于开发，Mouser还提供了配套的QPD0011EVB1评估板 。此平台包括一个示例应用电路，在与现有设计结合使用时可加快原型设计速度。QPD0011适用于宏蜂窝小区和微小区基站、有源天线以及非对称Doherty设计等应用。  （编辑：牡丹江站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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